STMicroelectronics STGF20H60DF IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-220FP, Through Hole

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

65,40 €

(TVA exclue)

79,15 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 26 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
50 - 501,308 €65,40 €
100 - 2001,247 €62,35 €
250 +1,215 €60,75 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
168-7066
Référence fabricant:
STGF20H60DF
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

167 W

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.4 x 4.6 x 15.75mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Pays d'origine :
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Liens connexes