Starpower GD75MLX65L3S, N-Channel Quad IGBT Power Module, 124 A 650 V Module
- N° de stock RS:
- 427-816
- Référence fabricant:
- GD75MLX65L3S
- Fabricant:
- Starpower
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- N° de stock RS:
- 427-816
- Référence fabricant:
- GD75MLX65L3S
- Fabricant:
- Starpower
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Starpower | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 124A | |
| Product Type | IGBT Power Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 355W | |
| Number of Transistors | 4 | |
| Package Type | Module | |
| Configuration | Quad | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Starpower | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 124A | ||
Product Type IGBT Power Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 355W | ||
Number of Transistors 4 | ||
Package Type Module | ||
Configuration Quad | ||
Channel Type N | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Starpower IGBT Power Module provides ultralow conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as3-level-application.
VCE(sat) with positive temperature coefficient
Low switching losses
Low inductance case
Fast and soft reverse recovery anti parallel FWD
Isolated copper baseplate using DBC technology
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