Starpower GD50PJX65L3S, N-Channel PIM IGBT Module, 91 A 650 V
- N° de stock RS:
- 427-808
- Référence fabricant:
- GD50PJX65L3S
- Fabricant:
- Starpower
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- N° de stock RS:
- 427-808
- Référence fabricant:
- GD50PJX65L3S
- Fabricant:
- Starpower
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Starpower | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 91A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 264W | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Configuration | PIM | |
| Channel Type | N | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.9V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Starpower | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 91A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 264W | ||
Number of Transistors 7 | ||
Configuration PIM | ||
Channel Type N | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Starpower IGBT Power Module provides ultralow conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS.
Maximum junction temperature 175°C
VCE(sat) with positive temperature coefficient
Low inductance case
Fast and soft reverse recovery anti parallel FWD
Isolated copper baseplate using DBC technology