Starpower GD20PJX65L2S, N-Channel PIM IGBT Module, 40 A 650 V Module
- N° de stock RS:
- 427-811
- Référence fabricant:
- GD20PJX65L2S
- Fabricant:
- Starpower
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- N° de stock RS:
- 427-811
- Référence fabricant:
- GD20PJX65L2S
- Fabricant:
- Starpower
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Starpower | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 40A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 129W | |
| Package Type | Module | |
| Configuration | PIM | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Starpower | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 40A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Number of Transistors 7 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 129W | ||
Package Type Module | ||
Configuration PIM | ||
Channel Type N | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Starpower IGBT Power Module provides ultralow conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS.
VCE(sat) with positive temperature coefficient
Maximum junction temperature 175°C
Low inductance case
Fast and soft reverse recovery anti parallel FWD
Isolated copper baseplate using DBC technology