Références fabricant

Infineon 16 kB 2 Wire I2C FRAM 8-Pin DFN

N° de stock RS:: 188-5399
Référence fabricant:: FM24CL16B-DG
Fabricant:: Infineon

Infineon 16 kB 2 Wire I2C FRAM 8-Pin DFN

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Unité	Prix par unité	le tube*
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162 - 243	3,021 €	244,70 €
324 +	2,943 €	238,38 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 188-5399
Référence fabricant:: FM24CL16B-DG
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	FRAM
	Memory Size	16kB
	Organisation	2K x 8 bit
	Interface Type	2 Wire I2C
	Data Bus Width	8bit
	Maximum Random Access Time	3000ns
	Mount Type	Surface
	Maximum Clock Frequency	1MHz
	Package Type	DFN
	Pin Count	8
	Height	0.75mm
	Length	4.5mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4mm
	Maximum Operating Temperature	85°C
	Automotive Standard	AEC-Q100
	Number of Words	2k
	Maximum Supply Voltage	3.65V
	Minimum Supply Voltage	2.7V
	Number of Bits per Word	8
	Minimum Operating Temperature	-40°C

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type FRAM
	Memory Size 16kB
	Organisation 2K x 8 bit
	Interface Type 2 Wire I2C
	Data Bus Width 8bit
	Maximum Random Access Time 3000ns
	Mount Type Surface
	Maximum Clock Frequency 1MHz
	Package Type DFN
	Pin Count 8
	Height 0.75mm
	Length 4.5mm
	Standards/Approvals No
	Width 4mm
	Maximum Operating Temperature 85°C
	Automotive Standard AEC-Q100
	Number of Words 2k
	Maximum Supply Voltage 3.65V
	Minimum Supply Voltage 2.7V
	Number of Bits per Word 8
	Minimum Operating Temperature -40°C

Datasheet FM24CL16B-DG

Pays d'origine :: US

FRAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory

Fast write speed

High endurance

Low power consumption

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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