Infineon 16 kB 2 Wire I2C FRAM 8-Pin SOIC, FM24CL16B-G

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

6,36 €

(TVA exclue)

7,695 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Commandes ci-dessous 75,00 € coût (TVA exclue) 5,95 €.
En stock
  • 40 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
  • Plus 240 unité(s) expédiée(s) à partir du 03 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 101,272 €6,36 €
15 - 251,118 €5,59 €
30 - 951,082 €5,41 €
100 - 4950,962 €4,81 €
500 +0,936 €4,68 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
125-4212
Référence fabricant:
FM24CL16B-G
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Memory Size

16kB

Product Type

FRAM

Organisation

2K x 8 bit

Interface Type

2 Wire I2C

Data Bus Width

8bit

Maximum Random Access Time

3000ns

Mount Type

Surface

Maximum Clock Frequency

1MHz

Package Type

SOIC

Pin Count

8

Height

1.38mm

Length

4.97mm

Standards/Approvals

No

Width

3.98 mm

Maximum Operating Temperature

85°C

Maximum Supply Voltage

3.65V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Number of Bits per Word

8

Minimum Supply Voltage

2.7V

Automotive Standard

AEC-Q100

Number of Words

2k

FRAM, Cypress Semiconductor


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory

Fast write speed

High endurance

Low power consumption

FRAM (Ferroelectric RAM)


FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Liens connexes