onsemi MJD210T4G Transistor, -5 A PNP, -25 V, 4-Pin DPAK

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N° de stock RS:
790-5334
Référence fabricant:
MJD210T4G
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

-5A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

-25V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

40V dc

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

8V

Minimum Operating Temperature

-65°C

Transistor Polarity

PNP

Minimum DC Current Gain hFE

10

Maximum Transition Frequency ft

10MHz

Maximum Power Dissipation Pd

12.5W

Pin Count

4

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Height

2.38mm

Series

MJD210

Automotive Standard

AEC-Q101

The Bipolar Power Transistor is designed for low voltage, low power, high gain audio amplifier applications. The MJD200 (NPN) and MJD210 (PNP) are complementary devices.

Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc

High DC Current Gain - hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc= 45 (Min) @ IC = 2 Adc= 10 (Min) @ IC = 5 Adc

Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.30 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc

High Current-Gain - Bandwidth Product - fT = 65 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc

Annular Construction for Low Leakage - ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB

These Devices are Pb-Free

MJD200 is the complementary NPN device

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