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onsemi MJD210G Transistor, -5 A PNP, -25 V, 4-Pin DPAK

N° de stock RS:: 184-4310
Référence fabricant:: MJD210G
Fabricant:: onsemi

onsemi MJD210G Transistor, -5 A PNP, -25 V, 4-Pin DPAK

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N° de stock RS:: 184-4310
Référence fabricant:: MJD210G
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	-5A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	-25V
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	40V dc
	Maximum Power Dissipation Pd	12.5W
	Maximum Transition Frequency ft	10MHz
	Transistor Polarity	PNP
	Minimum DC Current Gain hFE	10
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	8V dc
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Pin Count	4
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	6.73mm
	Series	MJD210
	Height	2.38mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc -5A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -25V
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 40V dc
	Maximum Power Dissipation Pd 12.5W
	Maximum Transition Frequency ft 10MHz
	Transistor Polarity PNP
	Minimum DC Current Gain hFE 10
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 8V dc
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Pin Count 4
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 6.73mm
	Series MJD210
	Height 2.38mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Pays d'origine :: VN

The Bipolar Power Transistor is designed for low voltage, low power, high gain audio amplifier applications. The MJD200 (NPN) and MJD210 (PNP) are complementary devices.

Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc

High DC Current Gain - hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc= 45 (Min) @ IC = 2 Adc= 10 (Min) @ IC = 5 Adc

Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.30 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc

High Current-Gain - Bandwidth Product - fT = 65 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc

Annular Construction for Low Leakage - ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB

These Devices are Pb-Free

MJD200 is the complementary NPN device

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