onsemi MJD253T4G Transistor, -4 A PNP, -100 V, 3-Pin DPAK

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790-5337
Référence fabricant:
MJD253T4G
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

-4A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

-100V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

100V dc

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

7V

Minimum DC Current Gain hFE

40

Maximum Power Dissipation Pd

12.5W

Transistor Polarity

PNP

Maximum Transition Frequency ft

10MHz

Minimum Operating Temperature

-65°C

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

MJD253

Standards/Approvals

No

Width

90μm

Height

630μm

Length

270μm

Automotive Standard

AEC-Q101

PNP Power Transistors, ON Semiconductor


Standards

Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

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