Références fabricant

Infineon BFP410H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 40 mA NPN, 4.5 V, 4-Pin SOT-343

N° de stock RS:: 273-7297
Référence fabricant:: BFP410H6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon BFP410H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 40 mA NPN, 4.5 V, 4-Pin SOT-343

Sous-total (3000 unités, sur une bobine de 3000)*

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3000 +	0,231 €	693,00 €

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N° de stock RS:: 273-7297
Référence fabricant:: BFP410H6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	40mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	4.5V
	Package Type	SOT-343
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	13V
	Transistor Polarity	NPN
	Maximum Power Dissipation Pd	150mW
	Minimum DC Current Gain hFE	60
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	1.5V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Transition Frequency ft	25GHz
	Pin Count	4
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Series	BFP
	Standards/Approvals	JEDEC47/20/22
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 40mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 4.5V
	Package Type SOT-343
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 13V
	Transistor Polarity NPN
	Maximum Power Dissipation Pd 150mW
	Minimum DC Current Gain hFE 60
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.5V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Transition Frequency ft 25GHz
	Pin Count 4
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Series BFP
	Standards/Approvals JEDEC47/20/22
	Automotive Standard No

Datasheet - BFP410H6327XTSA1

The Infineon NPN RF bipolar transistor is a low noise device based on a grounded emitter that is part of Infineon established fourth generation RF bipolar transistor family. Its transition frequency fT of 25 GHz and low current characteristics make the device suitable for high frequency oscillators. It remains cost competitive without compromising on ease of use.

High gain

Minimum noise figure

Suitable for broadband low noise amplifiers

LNAs for sub 1 GHz ISM band applications

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