Infineon BFR340FH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 20 mA NPN, 15 V, 3-Pin TSFP-3-1
- N° de stock RS:
- 261-3952
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-41-645
- Référence fabricant:
- BFR340FH6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 261-3952
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-41-645
- Référence fabricant:
- BFR340FH6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 20mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 15V | |
| Package Type | TSFP-3-1 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 15V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75mW | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 90 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Transition Frequency ft | 14GHz | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 110°C | |
| Length | 1.2mm | |
| Height | 0.55mm | |
| Series | BFR | |
| Width | 1.2mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 20mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 15V | ||
Package Type TSFP-3-1 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 15V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75mW | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 90 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Transition Frequency ft 14GHz | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 110°C | ||
Length 1.2mm | ||
Height 0.55mm | ||
Series BFR | ||
Width 1.2mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon low profile silicon NPN RF bipolar transistor, is a low noise device based on Si that is part of Infineon’s established third generation RF bipolar transistor family. Its low current and high breakdown voltage characteristics make the device suitable for oscillators applications for frequencies as high as 3.5 GHz. It remains cost competitive without compromising on ease of use.
Low noise amplifiers for FM and AM radio
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