Infineon RF Bipolar Transistor, 50 mA NPN, 10 V, 4-Pin TSFP-4-1

Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
N° de stock RS:
259-1428
Référence fabricant:
BFP520H6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

50mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

10V

Package Type

TSFP-4-1

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Common Emitter

Maximum Collector Base Voltage VCBO

10V

Maximum Power Dissipation Pd

120mW

Maximum Transition Frequency ft

45GHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

1V

Transistor Polarity

NPN

Minimum DC Current Gain hFE

70

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

4

Height

0.9mm

Length

2mm

Series

BFP520F

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon NPN silicon RF transistor. It is various applications like cellular and Cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems.

For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz

For linear broadband amplifiers

fT 8 GHz, NFmin 1 dB at 900 MHz

Pb-free (RoHS compliant) package

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.