Infineon RF Bipolar Transistor, 50 mA NPN, 10 V, 4-Pin TSFP-4-1

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N° de stock RS:
259-1428
Référence fabricant:
BFP520H6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

50mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

10V

Package Type

TSFP-4-1

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Common Emitter

Maximum Collector Base Voltage VCBO

10V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Minimum DC Current Gain hFE

70

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

1V

Transistor Polarity

NPN

Maximum Power Dissipation Pd

120mW

Maximum Transition Frequency ft

45GHz

Pin Count

4

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

BFP520F

Height

0.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

2mm

Automotive Standard

No

The Infineon NPN silicon RF transistor. It is various applications like cellular and Cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems.

For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz

For linear broadband amplifiers

fT 8 GHz, NFmin 1 dB at 900 MHz

Pb-free (RoHS compliant) package

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