Infineon RF Bipolar Transistor, 50 mA NPN, 10 V, 4-Pin TSFP-4-1

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N° de stock RS:
259-1428
Référence fabricant:
BFP520H6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

50mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

10V

Package Type

TSFP-4-1

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Common Emitter

Maximum Collector Base Voltage VCBO

10V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

120mW

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

1V

Minimum DC Current Gain hFE

70

Transistor Polarity

NPN

Maximum Transition Frequency ft

45GHz

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

4

Height

0.9mm

Length

2mm

Standards/Approvals

RoHS

Series

BFP520F

Width

1.25mm

Automotive Standard

No

The Infineon NPN silicon RF transistor. It is various applications like cellular and Cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems.

For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz

For linear broadband amplifiers

fT 8 GHz, NFmin 1 dB at 900 MHz

Pb-free (RoHS compliant) package

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