Infineon BFP620FH7764XTSA1 RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 7.5 V, 4-Pin TSFP-4-1
- N° de stock RS:
- 261-3947
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-41-641
- Référence fabricant:
- BFP620FH7764XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 100 - 220 | 0,371 € | 7,42 € |
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- N° de stock RS:
- 261-3947
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-41-641
- Référence fabricant:
- BFP620FH7764XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 80mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 7.5V | |
| Package Type | TSFP-4-1 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 7.5V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 65GHz | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 185mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 110 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Width | 1.2mm | |
| Series | BFP | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 0.55mm | |
| Length | 1.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 80mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 7.5V | ||
Package Type TSFP-4-1 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 7.5V | ||
Maximum Transition Frequency ft 65GHz | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 185mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 110 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Width 1.2mm | ||
Series BFP | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 0.55mm | ||
Length 1.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon low profile high gain silicon NPN RF bipolar transistor, its high gain and low noise characteristics make the device suitable for frequencies as high as 6 GHz. It remains cost competitive without compromising on ease of use.
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