Références fabricant

Infineon RF Bipolar Transistor, 45 mA NPN, 4.2 V, 4-Pin TSFP-4-1

N° de stock RS:: 259-1451
Référence fabricant:: BFP740H6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon RF Bipolar Transistor, 45 mA NPN, 4.2 V, 4-Pin TSFP-4-1

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 259-1451
Référence fabricant:: BFP740H6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	45mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	4.2V
	Package Type	TSFP-4-1
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	13V
	Maximum Power Dissipation Pd	44mW
	Maximum Transition Frequency ft	47GHz
	Transistor Polarity	NPN
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Minimum DC Current Gain hFE	160
	Pin Count	4
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.9mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	1.25mm
	Length	2mm
	Series	BFP
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 45mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 4.2V
	Package Type TSFP-4-1
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 13V
	Maximum Power Dissipation Pd 44mW
	Maximum Transition Frequency ft 47GHz
	Transistor Polarity NPN
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Minimum DC Current Gain hFE 160
	Pin Count 4
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.9mm
	Standards/Approvals RoHS
	Width 1.25mm
	Length 2mm
	Series BFP
	Automotive Standard No

Datasheet - BFP740FESDH6327XTSA1

The Infineon silicon germanium carbon (SiGe:C) NPN heterojunction wideband bipolar RF transistor (HBT) with an integrated ESD protection. It is unique combination of high end RF performance and robustness: 21 dBm maximum RF input power, 2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits.

NFmin 0.6 dB at 2.4 GHz and 0.8 dB at 5.5 GHz, 3V, 6 mA

High gain Gms 26 dB at 2.4 GHz and Gma 20.5 dB at 5.5 GHz, 3V, 25 mA

OIP3 23.5 dBm at 5.5 GHz, 25 mA

Low profile and small form factor leadless package

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