Infineon BFP540ESDH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 10 V, 4-Pin SOT-343

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N° de stock RS:
259-1432
Référence fabricant:
BFP540ESDH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

80mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

10V

Package Type

SOT-343

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

10V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Transition Frequency ft

30GHz

Minimum DC Current Gain hFE

50

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

1V

Transistor Polarity

NPN

Maximum Power Dissipation Pd

250mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

4

Height

0.9mm

Length

2mm

Series

BFP540

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon NPN silicon RF transistor for ESD protected high gain low noise amplifier. It has excellent ESD performance typical Value 1000 V (HBM).

Outstanding Gms 21.5 dB

Noise figure F 0.9 dB

Gold metallization for high reliability

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