Infineon RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 10 V, 4-Pin SOT-343

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N° de stock RS:
259-1431
Référence fabricant:
BFP540ESDH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

80mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

10V

Package Type

SOT-343

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

10V

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

1V

Minimum DC Current Gain hFE

50

Transistor Polarity

NPN

Maximum Power Dissipation Pd

250mW

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Transition Frequency ft

30GHz

Pin Count

4

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

BFP540

Height

0.9mm

Length

2mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon NPN silicon RF transistor for ESD protected high gain low noise amplifier. It has excellent ESD performance typical Value 1000 V (HBM).

Outstanding Gms 21.5 dB

Noise figure F 0.9 dB

Gold metallization for high reliability

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