Infineon BFP193WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 20 V, 4-Pin SOT-343

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259-1415
Numéro d'article Distrelec:
304-40-482
Référence fabricant:
BFP193WH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

80mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-343

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

580mW

Minimum DC Current Gain hFE

70

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

4

Series

BFP193W

Standards/Approvals

RoHS

Height

0.9mm

Length

2.1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon NPN silicon RF transistor is used for various applications like cellular and Cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems.

For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz

For linear broadband amplifiers

Pb-free (RoHS compliant) package

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