Infineon BFP620H7764XTSA1 RF Bipolar Transistor, 7.5 mA NPN, 80 V, 4-Pin SOT-343

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N° de stock RS:
259-1437
Référence fabricant:
BFP620H7764XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

7.5mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Package Type

SOT-343

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

7.5V

Maximum Transition Frequency ft

65GHz

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

1.2V

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Power Dissipation Pd

185mW

Minimum DC Current Gain hFE

110

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

4

Series

BFP620

Standards/Approvals

RoHS

Height

0.9mm

Length

2mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon highly linear low noise RF transistor provides outstanding performance for a wide range of wireless applications. It is based on Infineon's reliable high volume SiGe:C technology & Ideal for CDMA and WLAN applications.

Collector design provides high linearity of 14.5 dBm OP1dB for low voltage application

Accurate SPICE GP model enables effective design in process

Pb-free (RoHS compliant) package

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