Références fabricant

Infineon RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23

N° de stock RS:: 219-5952
Référence fabricant:: BF771E6327HTSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

204,00 €

(TVA exclue)

246,00 €

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3000 +	0,068 €	204,00 €

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N° de stock RS:: 219-5952
Référence fabricant:: BF771E6327HTSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	80mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	20V
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	20V
	Maximum Transition Frequency ft	8GHz
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	2V
	Minimum DC Current Gain hFE	70
	Transistor Polarity	NPN
	Maximum Power Dissipation Pd	580mW
	Pin Count	3
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	ESD sensitive device, RoHS
	Series	BF771
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 80mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V
	Maximum Transition Frequency ft 8GHz
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V
	Minimum DC Current Gain hFE 70
	Transistor Polarity NPN
	Maximum Power Dissipation Pd 580mW
	Pin Count 3
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals ESD sensitive device, RoHS
	Series BF771
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - BF771E6327HTSA1

The Infineon NPN silicon RF transistor is used for modulators and amplifiers in TV and VCR tuners.

Pb-free (RoHS compliant)

Qualified according AEC Q101

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