onsemi NJVMJD44H11G Transistor, 8 A NPN, 80 V dc, 3-Pin DPAK

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186-8169
Référence fabricant:
NJVMJD44H11G
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

8A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

80V dc

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

10V

Maximum Transition Frequency ft

20MHz

Transistor Polarity

NPN

Maximum Power Dissipation Pd

20W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

5V dc

Minimum DC Current Gain hFE

40

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.73mm

Height

2.38mm

Standards/Approvals

No

Width

6.22mm

Series

NJVMJD44H11

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
VN
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.

Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves (No Suffix)

Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix)

Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount ("T4" Suffix)

Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series

Low Collector Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.0 Volt Max @ 8.0 Amperes

Fast Switching Speeds

Complementary Pairs Simplifies Designs

NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP capable

These Devices are Pb-Free

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