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onsemi MJD45H11T4G Transistor, -8 A PNP, -80 V, 3-Pin DPAK

N° de stock RS:: 463-622
Référence fabricant:: MJD45H11T4G
Fabricant:: onsemi

onsemi MJD45H11T4G Transistor, -8 A PNP, -80 V, 3-Pin DPAK

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N° de stock RS:: 463-622
Référence fabricant:: MJD45H11T4G
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	-8A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	-80V
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Single
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Minimum DC Current Gain hFE	40
	Transistor Polarity	PNP
	Maximum Power Dissipation Pd	1.75W
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	5V
	Maximum Transition Frequency ft	90MHz
	Pin Count	3
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	2.38mm
	Series	MJD44H11
	Length	6.73mm
	Height	8.5mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc -8A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -80V
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Single
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Minimum DC Current Gain hFE 40
	Transistor Polarity PNP
	Maximum Power Dissipation Pd 1.75W
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V
	Maximum Transition Frequency ft 90MHz
	Pin Count 3
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 2.38mm
	Series MJD44H11
	Length 6.73mm
	Height 8.5mm
	Automotive Standard AEC-Q101

PNP Power Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

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