Infineon Switching Diode, Single, 18 A, 3-Pin 1200 V TO-220 IDP18E120XKSA1
- N° de stock RS:
- 258-0976
- Référence fabricant:
- IDP18E120XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 258-0976
- Référence fabricant:
- IDP18E120XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | Switching Diode | |
| Maximum Forward Current If | 18A | |
| Diode Configuration | Single | |
| Mount Type | Surface | |
| Sub Type | Diode & Rectifiers | |
| Package Type | TO-220 | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 1200V | |
| Peak Reverse Recovery Time trr | 195ns | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 113W | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.65V | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 78A | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Series | IDP18E120 | |
| Standards/Approvals | JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type Switching Diode | ||
Maximum Forward Current If 18A | ||
Diode Configuration Single | ||
Mount Type Surface | ||
Sub Type Diode & Rectifiers | ||
Package Type TO-220 | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 1200V | ||
Peak Reverse Recovery Time trr 195ns | ||
Maximum Power Dissipation Pd 113W | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.65V | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 78A | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Series IDP18E120 | ||
Standards/Approvals JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon fast switching diode is 1200 V, 18 A emitter controlled silicon power diode in a TO-220 Real 2-leg package displays excellent softness and VF behaviour and is qualified with a Tj(max) of 150°C. The diodes are also available halogen-free according to IEC61249-2-21.
Cooler packages and higher efficiency
Excellent EMI behaviour
Excellent trade-off between cost and performance
Low conduction losses
Easy paralleling
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