Références fabricant

Alliance Memory SDRAM 1 GB Surface, 84-Pin 16 bit FBGA

N° de stock RS:: 230-8436
Référence fabricant:: AS4C64M16D2A-25BIN
Fabricant:: Alliance Memory

Alliance Memory SDRAM 1 GB Surface, 84-Pin 16 bit FBGA

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Unité	Prix par unité	le plateau*
209 - 209	3,56 €	744,04 €
418 - 418	3,535 €	738,82 €
627 - 836	3,311 €	692,00 €
1045 - 1881	3,169 €	662,32 €
2090 +	3,069 €	641,42 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 230-8436
Référence fabricant:: AS4C64M16D2A-25BIN
Fabricant:: Alliance Memory

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Alliance Memory
	Memory Size	1GB
	Product Type	SDRAM
	Organisation	64M x 16
	Data Bus Width	16bit
	Address Bus Width	13bit
	Number of Bits per Word	16
	Maximum Clock Frequency	400MHz
	Maximum Random Access Time	0.4ns
	Mount Type	Surface
	Package Type	FBGA
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Pin Count	84
	Maximum Operating Temperature	95°C
	Height	1.2mm
	Width	12.5 mm
	Length	8.1mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Series	AS4C64M16D2A
	Automotive Standard	No
	Minimum Supply Voltage	1.7V
	Maximum Supply Voltage	1.9V

	Sélectionner tout
	Marque Alliance Memory
	Memory Size 1GB
	Product Type SDRAM
	Organisation 64M x 16
	Data Bus Width 16bit
	Address Bus Width 13bit
	Number of Bits per Word 16
	Maximum Clock Frequency 400MHz
	Maximum Random Access Time 0.4ns
	Mount Type Surface
	Package Type FBGA
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Pin Count 84
	Maximum Operating Temperature 95°C
	Height 1.2mm
	Width 12.5 mm
	Length 8.1mm
	Standards/Approvals RoHS
	Series AS4C64M16D2A
	Automotive Standard No
	Minimum Supply Voltage 1.7V
	Maximum Supply Voltage 1.9V

Datasheet - AS4C64M16D2A-25BIN

The Alliance Memory AS4C64M16D2A is a high-speed CMOS Double-Data-Rate-Two (DDR2), synchronous dynamic random- access memory (SDRAM) containing 1024 Mbits in a 16-bit wide data I/Os. It is internally configured as a 8-bank DRAM, 8 banks x 8Mb addresses x 16 I/Os. The device is designed to comply with DDR2 DRAM key features such as posted CAS# with additive latency, Write latency = Read latency -1, Off-Chip Driver (OCD) impedance adjustment, and On Die Termination(ODT).

Supports JEDEC clock jitter specification

Fully synchronous operation

Fast clock rate: 400 MHz

Differential Clock, CK & CK#

Bidirectional single/differential data strobe DQS & DQS#

8 internal banks for concurrent operation

4-bit prefetch architecture

Inte

Alliance Memory SDRAM 1 GB Surface, 84-Pin 16 bit FBGA

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