Infineon 650 V 12 A Rectifier & Schottky Diode PG-VSON-4
- N° de stock RS:
- 258-0970
- Référence fabricant:
- IDL12G65C5XUMA2
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
5 508,00 €
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6 666,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,836 € | 5 508,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-0970
- Référence fabricant:
- IDL12G65C5XUMA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Mount Type | Surface | |
| Product Type | Rectifier & Schottky Diode | |
| Package Type | PG-VSON-4 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 12A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Series | IDL12G65C5 | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 505A | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.7V | |
| Peak Reverse Current Ir | 190μA | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC1) | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Mount Type Surface | ||
Product Type Rectifier & Schottky Diode | ||
Package Type PG-VSON-4 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 12A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Series IDL12G65C5 | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 505A | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.7V | ||
Peak Reverse Current Ir 190μA | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC1) | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolSiC Schottky diodes generation 5 600V, 2 A in a DPAK real2pin package represents our leading edge technology for SiC Schottky barrier diodes. The Infineon proprietary diffusion soldering process, already introduced with G3, is now combined with a new, more compact design and thin wafer technology. The result is a new family of products showing improved efficiency over all load conditions, coming from both the improved thermal characteristics and a lower figure of merit.
No reverse recovery charge
Soft switching reverse recovery waveform
Temperature independent switching behaviour
Highly stable switching performance
Reduced cooling requirements
Reduced risks of thermal runaway
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