Infineon 1.8 V 10 A SiC Schottky Diode Schottky 3-Pin DPAK IDD10SG60CXTMA2

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249-6927
Référence fabricant:
IDD10SG60CXTMA2
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

SiC Schottky Diode

Mount Type

Surface

Package Type

TO-252

Maximum Continuous Forward Current If

10A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

1.8V

Diode Configuration

Single

Series

XDD10SG60

Rectifier Type

Schottky

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-55°C

Peak Reverse Current Ir

860μA

Maximum Forward Voltage Vf

2.1V

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

410A

Peak Reverse Recovery Time trr

10ns

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, JEDEC1

Automotive Standard

No

The Infineon schottky diode has silicon carbide as revolutionary semiconductor material. It does not have forward and reverse recovery. It has temperature independent switching behaviour. It has high surge current capability.

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Qualified according to JEDEC for target applications

Breakdown voltage tested at 20mA

Optimized for high temperature operation

Lowest Figure of Merit QC/IF

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