BGB707L7ESDE6327XTSA1 Infineon RF Amplifier Low Noise 31.5 dB 5.6 GHz TSLP-7-1
- N° de stock RS:
- 258-0670
- Référence fabricant:
- BGB707L7ESDE6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 258-0670
- Référence fabricant:
- BGB707L7ESDE6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Operating Frequency | 5.6 GHz | |
| Product Type | RF Amplifier | |
| Amplifier Type | Low Noise | |
| Gain | 31.5dB | |
| Minimum Supply Voltage | 1.8V | |
| Package Type | TSLP-7-1 | |
| Maximum Supply Voltage | 4V | |
| P1dB - Compression Point | 100mW | |
| Noise Figure | 0.4dB | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Operating Frequency 5.6 GHz | ||
Product Type RF Amplifier | ||
Amplifier Type Low Noise | ||
Gain 31.5dB | ||
Minimum Supply Voltage 1.8V | ||
Package Type TSLP-7-1 | ||
Maximum Supply Voltage 4V | ||
P1dB - Compression Point 100mW | ||
Noise Figure 0.4dB | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon LNA MMIC with integrated ESD protection and active biasing is a high performance low noise amplifier MMIC based on Infineon’s silicon germanium carbon bipolar technology.
Integrated ESD protection of 2 kV HBM at all pins
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