BGA725L6E6327FTSA1 Infineon RF Amplifier Low Noise 20 dB, 6-Pin 1615 MHz TSLP

Voir la catégorie
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

2,76 €

(TVA exclue)

3,34 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 30 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 10 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 900,276 €2,76 €
100 - 2400,263 €2,63 €
250 - 4900,251 €2,51 €
500 - 9900,24 €2,40 €
1000 +0,223 €2,23 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
258-0663
Référence fabricant:
BGA725L6E6327FTSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Operating Frequency

1615 MHz

Product Type

RF Amplifier

Amplifier Type

Low Noise

Technology

Silicon Germanium

Gain

20dB

Package Type

TSLP

Minimum Supply Voltage

1.5V

Pin Count

6

Maximum Supply Voltage

3.6V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Third Order Intercept OIP3

-5dBm

Noise Figure

0.65dB

P1dB - Compression Point

72mW

Maximum Operating Temperature

85°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

BGA

Automotive Standard

No

The Infineon silicon germanium low noise amplifier is a front-end low noise amplifier for global navigation satellite systems from 1550 MHz to 1615 MHz like GPS, GLONASS, Beidou, Galileo and others. The LNA provides 20.0 dB gain and 0.65 dB noise figure at a current consumption of 3.6 mA in the application configuration described in chapter 3. The silicon germanium low noise amplifier is based upon Infineon technologies B7HF Silicon Germanium technology. It operates from 1.5 V to 3.6 V supply voltage.

RF output internally matched to 50 Ω

Only 1 external SMD component necessary

2kV HBM ESD protection

Pb-free (RoHS compliant) package

Liens connexes