BGAP2S30AE6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier, 35 dB 4.2 GHz, 16-Pin PG-TSNP-16-12

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N° de stock RS:
349-420
Référence fabricant:
BGAP2S30AE6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Typical 3dB Bandwidth

3300 → 4200MHz

Typical Power Gain

35 dB

Typical Output Power

28.5dBm

Typical Noise Figure

3.2dB

Number of Channels per Chip

1

Maximum Operating Frequency

4.2 GHz

Package Type

PG-TSNP-16-12

Pin Count

16

Pays d'origine :
MY
The Infineon 3.3 to 4.2 GHz mid band driver amplifier that can be used as pre driver or driver in RF applications from massive MIMO 5G base stations to small cells and access points. The driver amplifier is typically placed between transceiver IC and power amplifier but can also be used as power amplifier for low power applications. The input and outputs are single-ended and internally matched to 50 Ω.

BiCMOS technology for an optimized performance
High gain and high power for fewer components in line up
Internal matching and saving external matching components
Easy design in and small area footprint

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