IXYS HiperFET, Q-Class N-Channel MOSFET, 27 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-264

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920-0874
Référence fabricant:
IXFK27N80Q
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

27A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-264

Series

HiperFET, Q-Class

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

320mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Maximum Power Dissipation Pd

500W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

170nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.13mm

Height

26.16mm

Standards/Approvals

No

Length

19.96mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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