IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 50 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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N° de stock RS:
920-0717
Référence fabricant:
IXTP50N20P
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

360W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

9.15mm

Length

10.66mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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