IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 50 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IXTP50N20P
- N° de stock RS:
- 193-420
- Référence fabricant:
- IXTP50N20P
- Fabricant:
- IXYS
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- Fabricant:
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Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HiperFET, Polar | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 360W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.83 mm | |
| Height | 9.15mm | |
| Length | 10.66mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HiperFET, Polar | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 360W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.83 mm | ||
Height 9.15mm | ||
Length 10.66mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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