Vishay IRFBG Type N-Channel MOSFET, 3.1 A, 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-220

Visuel non contractuel

Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

63,00 €

(TVA exclue)

76,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 26 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
50 - 501,26 €63,00 €
100 - 2001,071 €53,55 €
250 +1,008 €50,40 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
919-4508
Référence fabricant:
IRFBG30PBF
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1kV

Series

IRFBG

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Forward Voltage Vf

1.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

9.01mm

Width

4.7 mm

Length

10.41mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes