IXYS X2-Class N-Channel MOSFET, 4 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IXTP4N65X2

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917-1485
Référence fabricant:
IXTP4N65X2
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-220

Series

X2-Class

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

850mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.4V

Maximum Power Dissipation Pd

80W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-30V, +30V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.3nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.3mm

Width

15.9mm

Height

4.7mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS X2-Class Series


The IXYS X2 class Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.

Very low RDS(on) and QG (gate charge)

Intrinsic rectifier diode

Low intrinsic gate resistance

Low package inductance

Industry standard packages

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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