Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 24 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR4620TRLPBF

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915-5023
Référence fabricant:
IRFR4620TRLPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

24A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

78mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

144W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Height

2.39mm

Width

7.49 mm

Automotive Standard

No

N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon


Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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