Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 5 A, 200 V TO-252 IRFR220NTRPBF
- N° de stock RS:
- 258-3982
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-536
- Référence fabricant:
- IRFR220NTRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
5,96 €
(TVA exclue)
7,21 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 990 unité(s) expédiée(s) à partir du 21 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,192 € | 5,96 € |
| 50 - 120 | 1,072 € | 5,36 € |
| 125 - 245 | 1,00 € | 5,00 € |
| 250 - 495 | 0,926 € | 4,63 € |
| 500 + | 0,86 € | 4,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3982
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-536
- Référence fabricant:
- IRFR220NTRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 600mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 43W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 43W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Planar cell structure for wide SOA
Increased ruggedness
Wide availability from distribution partners
Industry standard qualification level
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-252 IRFR15N20DTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR4620TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR220NTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-252