Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET, 272 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 CSD19536KTTT

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900-9857
Référence fabricant:
CSD19536KTTT
Fabricant:
Texas Instruments
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Marque

Texas Instruments

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

272A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

NexFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

118nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

10.67mm

Height

4.83mm

Width

9.65 mm

Automotive Standard

No

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments


MOSFET Transistors, Texas Instruments


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