Infineon CoolMOS C6 Type N-Channel MOSFET, 38 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R099C6XKSA1

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898-6895
Référence fabricant:
IPP60R099C6XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

38A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

CoolMOS C6

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

99mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

119nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

35W

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

16.15mm

Width

4.9 mm

Standards/Approvals

No

Length

10.65mm

Automotive Standard

No

Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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