STMicroelectronics STripFET F6 Type P-Channel MOSFET, 35 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD35P6LLF6
- N° de stock RS:
- 151-912
- Référence fabricant:
- STD35P6LLF6
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 5 unités)*
9,90 €
(TVA exclue)
12,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 2 385 unité(s) expédiée(s) à partir du 03 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,98 € | 9,90 € |
| 50 - 245 | 1,234 € | 6,17 € |
| 250 - 495 | 0,94 € | 4,70 € |
| 500 + | 0,842 € | 4,21 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 151-912
- Référence fabricant:
- STD35P6LLF6
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 35A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | STripFET F6 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.028Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 70W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 30nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 35A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series STripFET F6 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.028Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 70W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics P-channel Power MOSFET, developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
Very low on-resistance
Very low gate charge
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
Liens connexes
- STMicroelectronics STripFET F6 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD35P6LLF6
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD30NF06LT4
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD35NF06T4
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD35NF06LT4