onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 130 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB075N15A
- N° de stock RS:
- 864-7966
- Référence fabricant:
- FDB075N15A
- Fabricant:
- onsemi
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- N° de stock RS:
- 864-7966
- Référence fabricant:
- FDB075N15A
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 130A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | PowerTrench | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Forward Voltage Vf | 1.25V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 77nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Width | 9.65 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 130A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series PowerTrench | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Forward Voltage Vf 1.25V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 77nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.67mm | ||
Height 4.83mm | ||
Width 9.65 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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