Infineon CoolMOS E6 N-Channel MOSFET, 20 A, 700 V, 3-Pin TO-220 IPP65R190E6XKSA1

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N° de stock RS:
857-6930
Référence fabricant:
IPP65R190E6XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

700 V

Package Type

TO-220

Series

CoolMOS E6

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

190 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

151 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

73 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.36mm

Transistor Material

Si

Width

4.57mm

Height

15.95mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

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