Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET, 73 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SON CSD17307Q5A
- N° de stock RS:
- 827-4833
- Référence fabricant:
- CSD17307Q5A
- Fabricant:
- Texas Instruments
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
4,94 €
(TVA exclue)
5,98 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 2 210 unité(s) expédiée(s) à partir du 26 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,494 € | 4,94 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 827-4833
- Référence fabricant:
- CSD17307Q5A
- Fabricant:
- Texas Instruments
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Texas Instruments | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 73A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | NexFET | |
| Package Type | SON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.85V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5 mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Length | 5.8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Texas Instruments | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 73A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series NexFET | ||
Package Type SON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 17.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.85V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5 mm | ||
Height 1.1mm | ||
Length 5.8mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Liens connexes
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin VSONP
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin VSONP CSD17575Q3
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin VSONP CSD17484F4
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 6-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin SON
