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Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB600N25N3GATMA1

N° de stock RS:: 826-9204
Référence fabricant:: IPB600N25N3GATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB600N25N3GATMA1

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50 - 90	2,321 €	23,21 €
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N° de stock RS:: 826-9204
Référence fabricant:: IPB600N25N3GATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	250V
	Package Type	TO-263
	Series	OptiMOS 3
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	60mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Power Dissipation Pd	136W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.31mm
	Standards/Approvals	No
	Height	4.57mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 250V
	Package Type TO-263
	Series OptiMOS 3
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Power Dissipation Pd 136W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.31mm
	Standards/Approvals No
	Height 4.57mm
	Automotive Standard No

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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