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Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V Enhancement, 8-Pin VSON CSD19531Q5AT

N° de stock RS:: 823-9259
Référence fabricant:: CSD19531Q5AT
Fabricant:: Texas Instruments

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V Enhancement, 8-Pin VSON CSD19531Q5AT

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

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N° de stock RS:: 823-9259
Référence fabricant:: CSD19531Q5AT
Fabricant:: Texas Instruments

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Texas Instruments
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	110A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	NexFET
	Package Type	VSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	37nC
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	5mm
	Height	1.1mm
	Length	6.1mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Texas Instruments
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 110A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series NexFET
	Package Type VSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 5mm
	Height 1.1mm
	Length 6.1mm
	Automotive Standard No

ESD Control Selection Guide V1

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