Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V Enhancement, 8-Pin VSON
- N° de stock RS:
- 162-8145
- Référence fabricant:
- CSD19531Q5AT
- Fabricant:
- Texas Instruments
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- N° de stock RS:
- 162-8145
- Référence fabricant:
- CSD19531Q5AT
- Fabricant:
- Texas Instruments
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Texas Instruments | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 110A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | NexFET | |
| Package Type | VSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 5 mm | |
| Length | 6.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Texas Instruments | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 110A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series NexFET | ||
Package Type VSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.1mm | ||
Width 5 mm | ||
Length 6.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- MY
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