Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V Enhancement, 8-Pin VSON

Sous-total (1 bobine de 250 unités)*

283,00 €

(TVA exclue)

342,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Stock limité
  • Plus 1 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
250 +1,132 €283,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
162-8145
Référence fabricant:
CSD19531Q5AT
Fabricant:
Texas Instruments
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Texas Instruments

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

VSON

Series

NexFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Forward Voltage Vf

800mV

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

37nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.1mm

Standards/Approvals

No

Width

5mm

Length

6.1mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
MY

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.