Références fabricant

Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA416DJ-T1-GE3

N° de stock RS:: 818-1441
Référence fabricant:: SIA416DJ-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA416DJ-T1-GE3

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 20 unités)*

5,54 €

(TVA exclue)

6,70 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 13 avril 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
20 - 180	0,277 €	5,54 €
200 - 480	0,228 €	4,56 €
500 - 980	0,211 €	4,22 €
1000 - 1980	0,206 €	4,12 €
2000 +	0,201 €	4,02 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 818-1441
Référence fabricant:: SIA416DJ-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	11.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	ThunderFET
	Package Type	SC-70
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	130mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.5nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.85V
	Maximum Power Dissipation Pd	19W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	2.15mm
	Height	0.75mm
	Width	2.15 mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 11.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series ThunderFET
	Package Type SC-70
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 130mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.5nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.85V
	Maximum Power Dissipation Pd 19W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 2.15mm
	Height 0.75mm
	Width 2.15 mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA416DJ-T1-GE3

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Liens connexes