Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA416DJ-T1-GE3

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818-1441
Référence fabricant:
SIA416DJ-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

11.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SC-70

Series

ThunderFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

130mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.85V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.75mm

Length

2.15mm

Standards/Approvals

No

Width

2.15 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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