IXYS Polar3 Type N-Channel Power MOSFET, 60 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN IXFQ60N50P3
- N° de stock RS:
- 802-4461
- Référence fabricant:
- IXFQ60N50P3
- Fabricant:
- IXYS
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|---|---|
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| 30 - 89 | 6,17 € |
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- N° de stock RS:
- 802-4461
- Référence fabricant:
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- Fabricant:
- IXYS
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Series | Polar3 | |
| Package Type | TO-3PN | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 100mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1040W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 96nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.8mm | |
| Height | 20.3mm | |
| Width | 4.9 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Series Polar3 | ||
Package Type TO-3PN | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1040W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 96nC | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.8mm | ||
Height 20.3mm | ||
Width 4.9 mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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