IXYS Type N-Channel MOSFET, 26 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-3P IXFQ26N50P3

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Référence fabricant:
IXFQ26N50P3
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

26A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

TO-3P

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

240mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Maximum Power Dissipation Pd

500W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.4V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

20.3mm

Width

4.9 mm

Length

15.8mm

Distrelec Product Id

304-36-393

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series


A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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