IXYS Type N-Channel MOSFET, 22 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IXFP22N60P3
- N° de stock RS:
- 802-4427
- Référence fabricant:
- IXFP22N60P3
- Fabricant:
- IXYS
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
11,61 €
(TVA exclue)
14,048 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 294 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,805 € | 11,61 € |
| 20 - 38 | 3,625 € | 7,25 € |
| 40 - 98 | 3,275 € | 6,55 € |
| 100 - 498 | 2,855 € | 5,71 € |
| 500 + | 2,81 € | 5,62 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 802-4427
- Référence fabricant:
- IXFP22N60P3
- Fabricant:
- IXYS
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 22A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 360mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.66mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 16mm | |
| Width | 4.83 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Distrelec Product Id | 304-45-328 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 22A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 360mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.66mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 16mm | ||
Width 4.83 mm | ||
Automotive Standard No | ||
Distrelec Product Id 304-45-328 | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Liens connexes
- IXYS HiperFET 22 A 3-Pin TO-220AB IXFP22N60P3
- IXYS HiperFET 22 A 3-Pin TO-247 IXFH22N60P3
- IXYS HiperFET 26 A 3-Pin TO-220AB IXFP26N50P3
- IXYS HiperFET 80 A 3-Pin PLUS247 IXFX80N60P3
- IXYS HiperFET 110 A 3-Pin PLUS264 IXFB110N60P3
- IXYS HiperFET 64 A 3-Pin TO-264 IXFK64N60P3
- IXYS HiperFET 28 A 3-Pin TO-3PN IXFQ28N60P3
- IXYS HiperFET 66 A 4-Pin SOT-227 IXFN80N60P3
