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onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB035N10A

N° de stock RS:: 802-3200
Référence fabricant:: FDB035N10A
Fabricant:: onsemi

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB035N10A

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N° de stock RS:: 802-3200
Référence fabricant:: FDB035N10A
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-263
	Series	PowerTrench
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	89nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Forward Voltage Vf	1.25V
	Maximum Power Dissipation Pd	333W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Width	9.65mm
	Length	10.67mm
	Height	4.83mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-263
	Series PowerTrench
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 89nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Forward Voltage Vf 1.25V
	Maximum Power Dissipation Pd 333W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Width 9.65mm
	Length 10.67mm
	Height 4.83mm
	Automotive Standard No

PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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