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IXYS HiperFET, Q3-Class N-Channel MOSFET, 32 A, 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-264 IXFK32N100Q3

N° de stock RS:: 801-1409
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-348
Référence fabricant:: IXFK32N100Q3
Fabricant:: IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Channel MOSFET, 32 A, 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-264 IXFK32N100Q3

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N° de stock RS:: 801-1409
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-348
Référence fabricant:: IXFK32N100Q3
Fabricant:: IXYS

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	IXYS
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	32A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1kV
	Series	HiperFET, Q3-Class
	Package Type	TO-264
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	320mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	195nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-30V, +30V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.25kW
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	5.13mm
	Height	26.16mm
	Length	19.96mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque IXYS
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 32A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1kV
	Series HiperFET, Q3-Class
	Package Type TO-264
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 320mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 195nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -30V, +30V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.25kW
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 5.13mm
	Height 26.16mm
	Length 19.96mm
	Automotive Standard No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series

The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.

Fast intrinsic rectifier diode

Low RDS(on) and QG (gate charge)

Low intrinsic gate resistance

Industry standard packages

Low package inductance

High power density

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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